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BU325

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Crimson Semiconductor Inc

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参数
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Crimson Semiconductor Inc
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
LOW LEAKAGE
最大集电极电流 (IC)
3 A
集电极-发射极最大电压
200 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-126
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
25 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
0.5 V
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器件捷径:
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