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BU408

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件:BU408

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Central Semiconductor
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
7 A
集电极-发射极最大电压
200 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
5
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
60 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
10 MHz
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器件捷径:
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