描述 |
trenchmos logic level fet |
55 A, 55 V, 0.0166 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
零件包装代码 |
TO-252 |
DPAK |
包装说明 |
PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
PLASTIC, TO-252, SC-63, DPAK-3 |
针数 |
3 |
3 |
Reach Compliance Code |
not_compliant |
_compli |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) |
211 mJ |
211 mJ |
外壳连接 |
DRAIN |
DRAIN |
配置 |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 |
55 V |
55 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) |
62 A |
62 A |
最大漏极电流 (ID) |
55 A |
55 A |
最大漏源导通电阻 |
0.0166 Ω |
0.0166 Ω |
FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 |
TO-252 |
TO-252AA |
JESD-30 代码 |
R-PSSO-G2 |
R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
湿度敏感等级 |
1 |
1 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
2 |
2 |
工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 |
175 °C |
175 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
极性/信道类型 |
N-CHANNEL |
N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) |
115 W |
115 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) |
248 A |
248 A |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
YES |
YES |
端子面层 |
Tin (Sn) |
Tin (Sn) |
端子形式 |
GULL WING |
GULL WING |
端子位置 |
SINGLE |
SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
30 |
40 |
晶体管应用 |
SWITCHING |
SWITCHING |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |
Base Number Matches |
1 |
1 |