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BUV20R1

Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：TT Electronics plc

厂商官网：http://www.ttelectronics.com/

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
TT Electronics plc
包装说明
TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
50 A
集电极-发射极最大电压
125 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-3
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
8 MHz
文档预览
BUV20
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm(inches)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
NPN MULTI - EPITAXIAL
POWER TRANSISTOR
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
22.23
(0.875)
max.
FEATURES
• HIGH CURRENT
• FAST SWITCHING
• HIGH RELIABILITY
1
2
3
(case)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
APPLICATIONS
TO–3
PIN 1 — Base
PIN 2 — Emitter
Case is Collector.
• Industrial Equipment
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
CBO
V
CER
V
CEX
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg,
T
j
Collector – Base Voltage (I
E
= 0)
Collector – Emitter Voltage (R
BE
= 100
W
)
Collector – Emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector – Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter – Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Peak Collector Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
£
25°C
Storage Temperature
Junction Temperature
160V
150V
160V
125V
7V
50A
60A
10A
250W
–65 to 200°C
200°C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
prelim. 5/00
BUV20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tcase = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
V
CEO(sus)*
V
(BR)EBO
V
CE(sat)*
V
BE(sat)*
I
CEO
I
CEX
I
EBO
h
FE*
f
T
t
on
t
s
t
r
Collector - Emitter Sustaining
Voltage
Emitter – BaseVoltage
Collector Emitter Saturation
Voltage
Base Emitter Saturation
Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Transition Frequency
Turn–On Time
Storage Time
Fall Time
L = 25mH
I
E
= 50mA
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 50A
V
CE
= 100V
V
CE
= V
CEX
I
C
= 0
V
CE
= 2V
V
CE
= 4V
I
C
= 50A
I
C
= 50A
I
C
= 50A
V
CE
= 2.5A
I
B
= 5A
I
B
=5A
I
B
=0
V
BE
= –1.5V
T
C
= 125°C
V
EB
= 5V
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
B
=5A
I
B1
=-I
B2
=5A
I
B1
=-I
B2
=5A
20
10
8
1.5
1.2
0.3
m
Test Conditions
I
C
= 250mA
I
B
= 0
Min.
125
7
Typ.
Max. Unit
0.3
0.7
1.4
0.6
1.2
2
3
3
12
1
60
V
mA
—
MHz
s
I
C
= 2A V
CE
= 15V f = 100MHz
NOTES
* Pulse Test: t
p
= 300
m
s,
d £
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
R
q
JC
Thermal Resistance Junction to Case
0.7
°C/W
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
prelim. 5/00
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参数对比
与BUV20R1相近的元器件有：BUV20、BUV20.MODR1、BUV20.MOD。描述及对比如下：
型号 BUV20R1 BUV20 BUV20.MODR1 BUV20.MOD
描述 Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN npn multi - epitaxial power transistor Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 TO-3, 2 PIN FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 50 A 50 A 50 A 50 A
集电极-发射极最大电压 125 V 125 V 125 V 125 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10 10
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8 MHz 8 MHz 8 MHz 8 MHz
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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