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BUZ11AD1

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Motorola ( NXP )

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Motorola ( NXP )
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
25 A
最大漏源导通电阻
0.06 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
75 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
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