型号

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关键词

CFY66-08H

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, MICRO-X-4

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Qorvo

厂商官网：https://www.qorvo.com

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Qorvo

包装说明

DISK BUTTON, O-CRDB-F4

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOW NOISE

外壳连接

SOURCE

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

3.5 V

最大漏极电流 (ID)

0.06 A

FET 技术

HIGH ELECTRON MOBILITY

最高频带

K BAND

JESD-30 代码

O-CRDB-F4

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

DEPLETION MODE

封装主体材料

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

封装形状

ROUND

封装形式

DISK BUTTON

极性/信道类型

N-CHANNEL

最小功率增益 (Gp)

10 dB

认证状态

Not Qualified

参考标准

ESA/SCC 5613/002

表面贴装

YES

端子面层

GOLD

端子形式

FLAT

端子位置

RADIAL

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管元件材料

GALLIUM ARSENIDE

文档预览

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