江苏捷捷微电子股½有限公司
SDM02Z##
CGT110
○ 概述：
CGT110
是双面台面中心门极结构反向阻断高压晶闸管芯片；
主要工艺技术：台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。
○ 产品主要用途：
无功补偿，固态继电器，电力模块等。
○产品极限参数
（封装成模块后，除非另有规定，T
CASE
=25℃）
参数名称
结温范围
断态重复峰值电压
反向重复峰值电压
通态平均电流
通态浪涌电流
I
2
t
值
Tj=25℃
Tj=25℃
T
C
=80℃
tp=10mS
tp=10mS
V
D
=2/3V
DRM
tp=200uS
通态电流临界上升率
I
G
=0.3A
dI
G
/dt=0.3A/uS
Tj=125℃
dI/dt
150
A/uS
测试条件
符号
Tj
V
DRM
V
RRM
I
T
（
AV
）
I
TSM
I
2
t
1600
1600
数值
-16
-18
-40-125
1800
1800
110
2500
31250
2000
2000
-20
单½
℃
V
V
A
A
A
2
S
○产品电特性
（封装成模块后，除非另有规定，T
CASE
=25℃）
特性
通态峰值电压
I
T
=345A
tp=380uS
V
D
=V
DRM
断态峰值电流
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
R
=V
RRM
反向峰值电流
T
C
=25℃
T
C
=125℃
门极触发电流
擎½电流
维持电流
电话：+86-513-83639777
测试条件
符号
V
TM
数值
≤1.8
单½
V
I
DRM1
I
DRM2
I
RRM1
I
RRM2
I
GT
I
L
I
H
- 1 / 2-
≤100
≤20
≤100
≤20
20-120
≤300
≤250
uA
mA
uA
mA
mA
mA
mA
V
D
=12V
R
L
=30Ω
I
G
=1.2 I
GT
I
T
=1A
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门极触发电压
门极不触发电压
V
D
=12V
R
L
=30Ω
V
D
=V
DRM
Tj=125℃
V
D
=2/3V
DRM
断态电压临界上升率
Tj=125℃
门极开路
dV/dt
≥1000
V
GT
V
GD
≤2
≥0.25
SDM02Z##
V
V
V/uS
○产品尺寸及特征
硅片尺寸
硅片厚度
芯片尺寸
正面（门极、阴极）金属电极
背面（阳极）金属电极
满版芯片个数
4inch
420um
12.4mm×12.4mm
AL
或
Ti-Ni-Ag
Ti-Ni-Ag
37
只
A
G
K
器件线路符号
K
G
K
A
CGT110
芯片结构图（单½：um）
○产品信息
CGT 110 - 16 X
中心门极结构单向晶闸管
X：门极、阴极金属电极为AL
Y：门极、阴极金属电极为Ti-Ni-Ag
16:VDRM/VRRM=1600V
18:VDRM/VRRM=1800V
20:VDRM/VRRM=2000V
IT(AV)=110A
电话：+86-513-83639777
- 2 / 2-
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