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CMPT3904ETRLEADFREE

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Central Semiconductor

器件标准：

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Central Semiconductor
零件包装代码
SOT-23
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
70
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
最大关闭时间（toff）
250 ns
最大开启时间（吨）
70 ns
文档预览
CMPT3904E NPN
CMPT3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT3904E and
CMPT3906E are Enhanced versions of the CMPT3904
and CMPT3906 complementary switching transistors in
a SOT-23 surface mount package, designed for small
signal switching applications, interface circuit & driver
circuit applications.
ENHANCED SPECIFICATIONS:
♦
BVCBO from 40V min to 60V min. (CMPT3906E)
♦
BVEBO from 5.0V min to 6.0V min. (CMPT3906E)
♦
VCE(SAT) from 0.3V max to 0.2V max. (CMPT3904E)
from 0.4V max to 0.2V max. (CMPT3906E)
♦
hFE from 60 min to 70 min. (CMPT3904E) (CMPT3906E)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
40
6.0
200
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
SOT-23 CASE
MARKING CODE: CMPT3904E: C1AE
CMPT3906E: C2AE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
♦
Collector-Base Voltage
♦
Emitter-Base Voltage
Power Dissipation
Collector-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
♦
BVCBO
BVCEO
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMPT3904E
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
IC=10µA
IC=1.0mA
IE=10µA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
0.65
90
100
100
70
30
60
40
6.0
115
60
7.5
0.057
0.100
0.75
0.85
240
235
215
110
50
CMPT3906E
TYP
90
55
7.9
0.050
0.100
0.75
0.85
130
150
150
120
55
MAX
50
UNITS
nA
V
V
V
♦
BVEBO
♦
VCE(SAT)
♦
VCE(SAT)
VBE(SAT)
0.100
0.200
0.85
0.95
V
V
V
V
♦
hFE
♦
hFE
hFE
♦
hFE
hFE
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=1.0V, IC=0.1mA
VCE=1.0V, IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
300
♦
Enhanced specification
R3 (1-February 2010)
CMPT3904E NPN
CMPT3906E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:
(TA=25°C)
SYMBOL TEST CONDITIONS
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
Cob
Cib
hie
hre
hfe
hoe
NF
td
tr
ts
tf
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
IC=1.0mA, f=1.0kHz
IC=1.0mA, f=1.0kHz
IC=1.0mA, f=1.0kHz
MIN
300
MAX
4.0
8.0
12
10
400
60
4.0
35
35
200
50
UNITS
MHz
pF
pF
kΩ
X10
-4
μS
dB
ns
ns
ns
ns
1.0
0.1
100
1.0
VCE=5.0V, IC=100μA, RS =1.0KΩ, f=10Hz to 15.7kHz
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=3.0V, VBE=0.5V, IC=10mA, IB1=1.0mA
VCC=3.0V,
VCC=3.0V,
IC=10mA,
IC=10mA,
IB1=IB2=1.0mA
IB1=IB2=1.0mA
SOT-23 CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) Base
2) Emitter
3) Collector
MARKING CODES:
CMPT3904E: C1AE
CMPT3906E: C2AE
R3 (1-February 2010)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
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参数对比
与CMPT3904ETRLEADFREE相近的元器件有：CMPT3904E TR、CMPT3904EBKLEADFREE、CMPT3904ELEADFREE、CMPT3906ELEADFREE。描述及对比如下：
型号 CMPT3904ETRLEADFREE CMPT3904E TR CMPT3904EBKLEADFREE CMPT3904ELEADFREE CMPT3906ELEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN trans npn 40v 200ma sot-23 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否无铅 含铅 - - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor - - Central Semiconductor Central Semiconductor
零件包装代码 SOT-23 - - SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - - 3 3
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A - 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V - - 40 V 40 V
配置 SINGLE - Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 - 100 70 70
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 - - e3 e3
元件数量 1 - - 1 1
端子数量 3 - - 3 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - - 260 260
极性/信道类型 NPN - NPN NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W 0.35 W -
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES - YES YES YES
端子面层 TIN LEAD - - Matte Tin (Sn) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING - - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - 10 10
晶体管应用 SWITCHING - - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz - 300 MHz 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间（toff） 250 ns - - 250 ns 250 ns
最大开启时间（吨） 70 ns - - 70 ns 70 ns
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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