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CP588-CMPT5087-CM

Transistor

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Central Semiconductor

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
0.05 A
配置
Single
最小直流电流增益 (hFE)
250
最高工作温度
150 °C
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
标称过渡频率 (fT)
40 MHz
Base Number Matches
1
文档预览
Small Signal Transistor
PROCESS
CP588
PNP - Low Noise Amplifier Transistor Chip
PROCESS DETAILS
Process
Die Size
Die Thickness
Base Bonding Pad Area
Emitter Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
GEOMETRY
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
53,730
PRINCIPAL DEVICE TYPES
2N2605
2N3799
PN4250A
CMPT5086
CMPT5087
EPITAXIAL PLANAR
15 x 15 MILS
9.0 MILS
4.0 x 4.0 MILS
5.5 x 5.5 MILS
Al - 30,000Å
Au - 18,000Å
BACKSIDE COLLECTOR
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
R3 (21-August 2006)
PROCESS
CP588
Typical Electrical Characteristics
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110
Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
R3 (21-August 2006)
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