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CSD-4NTR13TIN/LEAD

Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 800V V(DRM)

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：Central Semiconductor

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Central Semiconductor
Reach Compliance Code
unknown
关态电压最小值的临界上升速率
10 V/us
最大直流栅极触发电流
0.2 mA
最大直流栅极触发电压
0.8 V
最大维持电流
2 mA
最大漏电流
0.2 mA
通态非重复峰值电流
30 A
最大通态电流
4000 A
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
断态重复峰值电压
800 V
表面贴装
YES
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
CSD-4M
CSD-4N
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-4M and
CSD-4N are epoxy molded SCRs designed for sensing
circuit and control system applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
DPAK CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
CSD-4M
Peak Repetitive Off-State Voltage
VDRM, VRRM
600
RMS On-State Current (TC=85°C)
IT(RMS)
4.0
Peak One Cycle Surge Current, t=10ms
I
2
t Value for Fusing, t=10ms
Peak Gate Power, tp=20μs
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current, tp=20μs
Critical Rate of Rise of On-State Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL
SYMBOL
IDRM, IRRM
IDRM, IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv/dt
ITSM
I
2
t
PGM
PG (AV)
IGM
di/dt
TJ
Tstg
30
4.5
3.0
0.2
1.2
50
CSD-4N
800
UNITS
V
A
A
A
2
s
W
W
A
A/μs
°C
°C
-40 to +125
-40 to +150
CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ
Rated VDRM, VRRM, RGK=1KΩ, TC=125°C
VD=12V, RL=10Ω
IT=50mA, RGK=1KΩ
VD=12V, RL=10
ITM=8.0A, tp=380μs
VD=
2
/
3
VDRM, RGK=1KΩ, TC=125°C
10
20
38
0.25
0.55
1.6
MAX
10
200
200
2.0
0.8
1.8
UNITS
μA
μA
μA
mA
V
V
V/μs
R2 (21-January 2013)
CSD-4M
CSD-4N
SURFACE MOUNT
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT
DPAK CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) Cathode
2) Anode
3) Gate
4) Anode
MARKING:
FULL PART NUMBER
R2 (21-January 2013)
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参数对比
与CSD-4NTR13TIN/LEAD相近的元器件有：CSD-4MBKTIN/LEAD、CSD-4MTR13LEAFREE、CSD-4MTR13TIN/LEAD、CSD-4NBKLEADFREE、CSD-4NBKTIN/LEAD、CSD-4NTR13LEADFREE、CSD-4MLEADFREE、CSD-4NLEADFREE。描述及对比如下：
型号 CSD-4NTR13TIN/LEAD CSD-4MBKTIN/LEAD CSD-4MTR13LEAFREE CSD-4MTR13TIN/LEAD CSD-4NBKLEADFREE CSD-4NBKTIN/LEAD CSD-4NTR13LEADFREE CSD-4MLEADFREE CSD-4NLEADFREE
描述 Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3 Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown compliant unknown compliant not_compliant not_compliant
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 800 V 600 V 600 V 600 V 800 V 800 V 800 V 600 V 800 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor - -
关态电压最小值的临界上升速率 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us 10 V/us - -
最大直流栅极触发电压 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V - -
最大维持电流 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA 2 mA - -
最大漏电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA - -
通态非重复峰值电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A - -
最大通态电流 4000 A 4000 A 4000 A 4000 A - 4000 A - - -
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器件捷径:
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