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CSD17313Q2Q1

Automotive 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 6-WSON -55 to 150

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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供应商:

器件:CSD17313Q2Q1

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
WSON-6
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Samacsys Description
TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2Q1 . - MOSFET, N-CH, 30V, 5A, 6SON
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)
18 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
最大漏极电流 (ID)
5 A
最大漏源导通电阻
0.042 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
17 pF
JESD-30 代码
S-PDSO-N6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
17 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
57 A
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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