型号
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- 关键词
| 型号 | CSD25485F5T | CSD25485F5 |
|---|---|---|
| 描述 | 20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 | 20V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 6 weeks | 8 weeks |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.2 A | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 23 pF | 23 pF |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 | R-XBCC-N3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
