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CSD87503Q3E

30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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供应商:

器件:CSD87503Q3E

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
6 weeks
外壳连接
DRAIN
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
10 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
194 pF
JESD-30 代码
S-PDSO-N8
JESD-609代码
e4
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
89 A
表面贴装
YES
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与CSD87503Q3E相近的元器件有:CSD87503Q3ET。描述及对比如下:
型号 CSD87503Q3E CSD87503Q3ET
描述 30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150 30-V Dual N-Channel MOSFET, Common Source 8-VSON -55 to 150
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 12 weeks
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 194 pF 194 pF
JESD-30 代码 S-PDSO-N8 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e4 e4
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 89 A 89 A
表面贴装 YES YES
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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