CY7C1019B-15ZCT,CY7C1019B-15ZCT pdf中文资料,CY7C1019B-15ZCT引脚图,CY7C1019B-15ZCT电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与CY7C1019B-15ZCT相近的元器件有：CY7C1019B-15VIT、CY7C1019B-12ZCT、CY7C1019B-12VCT、CY7C1019B-15VCT。描述及对比如下：

型号	CY7C1019B-15ZCT	CY7C1019B-15VIT	CY7C1019B-12ZCT	CY7C1019B-12VCT	CY7C1019B-15VCT
描述	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	TSOP2	SOJ	TSOP2	SOJ	SOJ
包装说明	TSOP2,	SOJ,	TSOP2,	SOJ,	SOJ,
针数	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	15 ns	15 ns	12 ns	12 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
长度	20.95 mm	20.955 mm	20.95 mm	20.955 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	SOJ	TSOP2	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	3.7592 mm	1.2 mm	3.7592 mm	3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
是否Rohs认证	-	-	不符合	不符合	不符合
湿度敏感等级	-	-	3	2	2
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	235	225	225
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	NOT SPECIFIED	30	30

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东芝谈半导体业务战略：“将业务领域从器件扩展至服务”

东芝公司代表执行董事副社长、JEITA半导体分会会长斋藤升三在2013年2月6日于东京举行的“2013年世界半导体东京峰会”（主办：《日经电子》）上发表演讲，介绍了日本半导体产业复兴举措，以及东芝的半导体及存储器业务战略。在全球半导体销售额中，日本所占份额从1988年的51％下滑到了2012年的18％。斋藤指出其原因在于“日本半导体业务模式的变革速度缓慢”。...[详细]
新型光学封胶可改良LED光输出

Dow Corning电子事业群推出据称可改良 LED 光输出的全新光学封胶──DOW CORNING OE-6450，这种全新的双组分(two-part)配方在用于透镜式LED组件时会固化成弹性凝胶，可提供更好的减压能力、耐用性、湿气保护能力以及紫外线照射抵抗能力，进而最大化透光率。 Dow Corning提供多种不同透明度、硬度与黏性等级的其它双组分硅封胶以符合各种用途与...[详细]
武汉智能驾驶项目签约近4000万

据悉，武汉科技成果转化系列活动之武汉新能源汽车工研院专场上，多项技术勾勒出具体可见的新能源汽车及无人驾驶生活场景。本次科技成果转化活动在武汉新能源汽车工业技术研究院（后简称“工研院”）举行。当天共有9个项目签约，签约总金额近4000万元。工研院位于武汉经济技术开发区智慧生态城，占地100亩，是国家智能网联汽车（武汉）测试示范区中心所在地，也是正在建设中的国家检验检测集聚区（武汉）园区...[详细]
TDK开发出业界最高额定电流电感器用于汽车PoC系统

10月26日，日本TDK株式会社宣布开发出用于汽车同轴电缆供电（PoC）系统的ADL3225VM电感器，大小仅为3.2 mm× 2.5 mm× 2.5 mm，已于2021年10月开始量产。该紧凑型解决方案可帮助设计人员减轻车辆重量，也使得汽车制造商采用更多传感器和摄像头，不断扩展汽车和高级驾驶辅助系统（ADAS）应用。该电感器采用专有的结构设计和绕线制造工艺，确保在1 MHz至1 GHz的宽带通...[详细]
从手机到VR 畅享移动互联体验也要“吸猫

　手机到VR连接无处不在，畅享移动互联体验也要“吸猫”？　　“听说过人工智能吗？” 　　几年前的答案：“科幻电影里看过。” 　　现如今的答案：“知道啊，我手机里就有人工智能。” 　　随着移动互联发展，曾经的前沿技术正在加速向我们走来，不仅是人工智能，还包括虚拟现实/增强实现、自动驾驶、智能物联网等多个领域。前不久落下帷幕的2018年亚洲消费电子展（CES Asia 2018）上，这些领域又...[详细]
光迅科技：与华为在光有源器件、无源器件领域均有合作

近日，光迅科技在互动平台表示，公司已全面复工。华为是公司重要客户之一，在光有源器件、无源器件领域均有合作。400G光模块目前有少量订单。目前公司25G光芯片部分规格可以自产，已交付内部产品线。据集微网此前报道，3月23日，光迅科技曾表示，25Gb/s作为新一代的主流接口速率，25Gb/s光芯片可以广泛地应用在5G、数据中心的25Gb/s、50Gb/s、100Gb/s、200Gb/s以及40...[详细]
Azure ARM (12) ARM模式下，在负载均衡器上设置多个公网IP地址

　　最近在帮助一个客户设置WAF (Web Application Firewall)，WAF厂商要求在负载均衡器上，设置多个公网IP地址。架构如下图：　　　　我研究了一下，在Azure ARM模式下可以实现，在这里记录一下。　　在默认情况下，Azure负载均衡器可以有5个公网IP地址。　　 https://docs.microsoft.com/en-us/azure/azure-...[详细]
2012Q1年中国集成电路产业运行概况

2012年一季度，我国电子信息制造业经济运行出现较大回落，集成电路产业也受的较大影响。2012年1-3月份中国集成电路产业销售额规模同比增长0.8%，销售额351.24亿元。产量为215.4亿块，同比增长0.7%。　　　　进出口方面，根据海关统计，2012年一季度集成电路进口金额399.2亿美元，同比增长3.4%；出口金额75.8亿美元，同比增长2.8%。　　　　图2009Q1——...[详细]
苹果果然正在开发AR原型产品而且还不止一款

腾讯科技讯在新产品开发方面，苹果有一个传统，即在公司内部设立不同的团队，开发截然不同的原型产品，展开某种内部竞争。库克之前已经证实，苹果已经在增强现实领域进行投资，而据最新外媒消息，苹果内部也在开发不同类型的AR眼镜，可能选择最优的方案生产产品。在之前的多个场合，苹果首席执行官库克屡屡表态力挺增强现实市场，认为未来能够培育出一个大众化市场，不过库克从未披露过苹果在研发怎样的增强现实产品。...[详细]
英特尔oneAPI统一简化编程，跨SVMS架构，赋能产业

当今世界，人工智能（AI）、云数据中心、物联网、下一代网络、自动驾驶等数据密集型工作负载不断扩展，一个以数据为中心的多元化计算时代正在到来。为此，英特尔改变自己的工程与产品创新模式，推出六大技术支柱战略，将聚焦于横跨制程和封装、架构、内存和存储、互连、安全、软件这六大领域的创新，以应对多元化的计算需求。软件的重要性被提到了前所未有的高度。英特尔认为，对于全新硬件架构的每一个数量级的性能提升潜力，...[详细]
如何用万用表检测照明线路漏电故障

照明线路一旦出现漏电现象，不但浪费电能，而且还可能引起触电事故。漏电与短路的本质相同，只是事故发展程度不同而已，严重的漏电可能造成短路。因此，对照明线路的漏电，切不可掉以轻心，应经常检查线路的绝缘情况，尤其是发现漏电现象时，应及时查明原因，找出故障点，并予以消除。照明线路漏电的主要原因是：一是导线或设备的绝缘受到外力损伤；二是线路经长期运行，导致绝缘老化变质；三是线路受潮气侵袭或被污染，造...[详细]
Nexperia与联合汽车电子共同推动GaN发展

基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司（简称UAES）在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正渐入佳境，势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长...[详细]
ADI新款SHARC处理器，创造最高性价比

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MSP430 LaunchPad定时器中断（连续模式）

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不可磨灭的CMOS技术

　如果说集成电路的发展是人类历史上的一朵奇葩，那么CMOS技术就是一直滋养这支花朵成长的养料。在集成电路走过的精彩辉煌的50年里，CMOS技术为低功耗集成电路打下了基础，并成为当今主流集成电路的关键生产技术。可以说，如果没有CMOS工艺，就没有今天的IC制造业，我们也享受不到PC带来的种种便利和乐趣。从某种意义上来说，集成电路发展史是CMOS工艺不断向前推进的历史。　　说起CMOS技术的...[详细]