首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

D2164A-15

Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Intel(英特尔)

厂商官网:http://www.intel.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Intel(英特尔)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP16,.3
针数
16
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
PAGE
最长访问时间
150 ns
其他特性
RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-GDIP-T16
JESD-609代码
e0
长度
19.558 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
PAGE MODE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
16
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP16,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
128
座面最大高度
5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
参数对比
与D2164A-15相近的元器件有:P2164A-20、D2164A-20、P2164A-15。描述及对比如下:
型号 D2164A-15 P2164A-20 D2164A-20 P2164A-15
描述 Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
厂商名称 Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP, DIP16,.3 DIP,
针数 16 16 16 16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 150 ns 200 ns 200 ns 150 ns
其他特性 RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-PDIP-T16 R-GDIP-T16 R-PDIP-T16
长度 19.558 mm 19.304 mm 19.558 mm 19.304 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX1 64KX1 64KX1 64KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 128 128 128 128
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消