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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称：Diodes
厂商官网：http://www.diodes.com/
下载文档| 型号 | DDTA124ECA-13 |
|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Diodes |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 56 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |