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DM2242J2-12

Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)

厂商官网:http://www.cypress.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
包装说明
SOJ, SOJ32,.34
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间
30 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 4 SRAM
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J28
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
CACHE DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ32,.34
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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