参数对比
与EBE21UE8AESA相近的元器件有:EBE21UE8AESA-6E-E、EBE21UE8AESA-8G-F、EBE21UE8AESA-6E-F。描述及对比如下:
型号 |
EBE21UE8AESA |
EBE21UE8AESA-6E-E |
EBE21UE8AESA-8G-F |
EBE21UE8AESA-6E-F |
描述 |
2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
2GB DDR2 SDRAM SO-DIMM |
是否Rohs认证 |
- |
符合 |
符合 |
符合 |
厂商名称 |
- |
ELPIDA |
ELPIDA |
ELPIDA |
零件包装代码 |
- |
SODIMM |
SODIMM |
SODIMM |
包装说明 |
- |
DIMM, DIMM200,24 |
DIMM, DIMM200,24 |
DIMM, DIMM200,24 |
针数 |
- |
200 |
200 |
200 |
Reach Compliance Code |
- |
unknow |
unknow |
unknow |
ECCN代码 |
- |
EAR99 |
EAR99 |
EAR99 |
访问模式 |
- |
DUAL BANK PAGE BURST |
DUAL BANK PAGE BURST |
DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 |
- |
0.45 ns |
0.4 ns |
0.45 ns |
其他特性 |
- |
AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
最大时钟频率 (fCLK) |
- |
333 MHz |
400 MHz |
333 MHz |
I/O 类型 |
- |
COMMON |
COMMON |
COMMON |
JESD-30 代码 |
- |
R-XZMA-N200 |
R-XZMA-N200 |
R-XZMA-N200 |
长度 |
- |
67.6 mm |
67.6 mm |
67.6 mm |
内存密度 |
- |
2147483648 bi |
2147483648 bi |
2147483648 bi |
内存集成电路类型 |
- |
DDR DRAM MODULE |
DDR DRAM MODULE |
DDR DRAM MODULE |
内存宽度 |
- |
8 |
8 |
8 |
功能数量 |
- |
1 |
1 |
1 |
端口数量 |
- |
1 |
1 |
1 |
端子数量 |
- |
200 |
200 |
200 |
字数 |
- |
268435456 words |
268435456 words |
268435456 words |
字数代码 |
- |
256000000 |
256000000 |
256000000 |
工作模式 |
- |
SYNCHRONOUS |
SYNCHRONOUS |
SYNCHRONOUS |
最高工作温度 |
- |
85 °C |
85 °C |
85 °C |
组织 |
- |
256MX8 |
256MX8 |
256MX8 |
输出特性 |
- |
3-STATE |
3-STATE |
3-STATE |
封装主体材料 |
- |
UNSPECIFIED |
UNSPECIFIED |
UNSPECIFIED |
封装代码 |
- |
DIMM |
DIMM |
DIMM |
封装等效代码 |
- |
DIMM200,24 |
DIMM200,24 |
DIMM200,24 |
封装形状 |
- |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
- |
MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) |
- |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
电源 |
- |
1.8 V |
1.8 V |
1.8 V |
认证状态 |
- |
Not Qualified |
Not Qualified |
Not Qualified |
刷新周期 |
- |
8192 |
8192 |
8192 |
座面最大高度 |
- |
30 mm |
30 mm |
30 mm |
自我刷新 |
- |
YES |
YES |
YES |
最大待机电流 |
- |
0.16 A |
0.16 A |
0.16 A |
最大压摆率 |
- |
2.84 mA |
3.04 mA |
2.84 mA |
最大供电电压 (Vsup) |
- |
1.9 V |
1.9 V |
1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) |
- |
1.7 V |
1.7 V |
1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) |
- |
1.8 V |
1.8 V |
1.8 V |
表面贴装 |
- |
NO |
NO |
NO |
技术 |
- |
CMOS |
CMOS |
CMOS |
温度等级 |
- |
OTHER |
OTHER |
OTHER |
端子形式 |
- |
NO LEAD |
NO LEAD |
NO LEAD |
端子节距 |
- |
0.6 mm |
0.6 mm |
0.6 mm |
端子位置 |
- |
ZIG-ZAG |
ZIG-ZAG |
ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
- |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
宽度 |
- |
3.8 mm |
3.8 mm |
3.8 mm |