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EDI8F12256C25MZC

SRAM Module, 256KX12, 25ns, CMOS, MODULE, ZIP-40

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
包装说明
MODULE, ZIP-40
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XZMA-T40
JESD-609代码
e0
内存密度
3145728 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
12
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
40
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX12
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
ZIP
封装等效代码
ZIP40,.1
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.035 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.59 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
1.27 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与EDI8F12256C25MZC相近的元器件有:EDI8F12256C20MZC、EDI8F12256C30MZC、EDI8F12256C35MZC、EDI8F12256C45MZC。描述及对比如下:
型号 EDI8F12256C25MZC EDI8F12256C20MZC EDI8F12256C30MZC EDI8F12256C35MZC EDI8F12256C45MZC
描述 SRAM Module, 256KX12, 25ns, CMOS, MODULE, ZIP-40 SRAM Module, 256KX12, 20ns, CMOS, MODULE, ZIP-40 SRAM Module, 256KX12, 30ns, CMOS, MODULE, ZIP-40 SRAM Module, 256KX12, 35ns, CMOS, MODULE, ZIP-40 SRAM Module, 256KX12, 45ns, CMOS, MODULE, ZIP-40
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 MODULE, ZIP-40 MODULE, ZIP-40 MODULE, ZIP-40 MODULE, ZIP-40 MODULE, ZIP-40
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 25 ns 20 ns 30 ns 35 ns 45 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-T40 R-XZMA-T40 R-XZMA-T40 R-XZMA-T40 R-XZMA-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bit 3145728 bi
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 12 12 12 12 12
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX12 256KX12 256KX12 256KX12 256KX12
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP
封装等效代码 ZIP40,.1 ZIP40,.1 ZIP40,.1 ZIP40,.1 ZIP40,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.035 A 0.035 A 0.035 A 0.035 A 0.035 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.59 mA 0.59 mA 0.59 mA 0.59 mA 0.59 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
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