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EDI8M1664P100CB

SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:EDI [Electronic devices inc.]

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDIP-T40
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
SRAM MODULE
内存宽度
16
端子数量
40
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
64KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP40,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流
0.015 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
参数对比
与EDI8M1664P100CB相近的元器件有:EDI8M1664P85CB、EDI8M1664C100CC、EDI8M1664C85CC。描述及对比如下:
型号 EDI8M1664P100CB EDI8M1664P85CB EDI8M1664C100CC EDI8M1664C85CC
描述 SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 100ns, CMOS, CDIP40, SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 100 ns 85 ns 100 ns 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40 R-XDIP-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 16 16 16 16
端子数量 40 40 40 40
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX16 64KX16 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6 DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.195 mA 0.195 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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