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ES1A

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1 A, 50 V, 硅, 信号二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:重庆平伟实业

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器件:ES1A

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
加工封装描述
塑料, SMA, 2 PIN
状态
ACTIVE
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
C BEND
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
结构
单一的
二极管元件材料
二极管类型
信号二极管
反向恢复时间最大
0.0200 us
最大重复峰值反向电压
50 V
最大平均正向电流
1 A
文档预览
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
ES1A THRU ES1J
SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE:50-400V
CURRENT:1.0A
FEATURES
·High
reliability
·Low
leakage
·Low
forward voltage
·High
current capability
·Super
fast switching speed
·High
surge capability
·Good
for switching mode circuit
SMA(DO-214AC)
.062(1.60)
.055(1.40)
.181(4.60)
.157(4.00)
.012(0.305)
.006(0.152)
.114(2.90)
.098(2.50)
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
0.064 grams
.096(2.44)
.078(2.00)
.060((1.52)
.030(0.76)
.008(0.203)
.002(0.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
ES1A
ES1B
100
70
100
ES1C
150
105
150
1.0
30
0.95
5.0
ES1D
200
140
200
ES1E
300
210
300
ES1J
400
280
400
units
V
V
V
A
A
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward rectified Current
at T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous forward Voltage at 1.0A
DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage T
A
=25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
35
50
1.25
V
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average,.375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
t
rr
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
C
J
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Notes: 1.Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
I
R
µA
100
35
15
10
nS
pF
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
www.fineprint.cn
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参数对比
与ES1A相近的元器件有:ES1B、ES1C、ES1D、ES1E、ES1J。描述及对比如下:
型号 ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1J
描述 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
端子数量 2 2 2 2 - 2
元件数量 1 1 1 1 - 1
加工封装描述 塑料, SMA, 2 PIN 绿色, 塑料, SMA, 2 PIN SMA, 2 PIN 塑料, SMA, 2 PIN - SMA, 2 PIN
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE - TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的 RECTANGULAR 矩形的 - 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes - Yes
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND - C BEND
端子位置 DUAL -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 - 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的 SINGLE 单一的 - 单一的
二极管元件材料 SILICON -
二极管类型 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 - 信号二极管
反向恢复时间最大 0.0200 us 0.0350 us 0.0150 us 0.0200 us - 0.0600 us
最大重复峰值反向电压 50 V 100 V 150 V 200 V - 600 V
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A - 1 A
端子涂层 - PURE 锡 MATTE TIN PURE 锡 - NOT SPECIFIED
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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