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EVG31-050A

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin, M201, 5 PIN

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Fuji Electric Co Ltd

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code
unknown
最大集电极电流 (IC)
30 A
集电极-发射极最大电压
600 V
配置
2 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)
100
JESD-30 代码
R-PUFM-X5
元件数量
2
端子数量
5
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
文档预览
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
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