TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF225R17ME4
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC
EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 225A / I
CRM
= 450A
TypischeAnwendungen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigesV
CEsat
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• MotorDrives
• ServoDrives
• UPSSystems
• WindTurbines
ElectricalFeatures
• LowV
CEsat
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2014-06-06
revision:2.4
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CU
approvedby:MK
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF225R17ME4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1700
225
340
450
1500
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,22
0,25
0,26
0,08
0,085
0,09
0,69
0,84
0,88
0,28
0,54
0,62
51,0
67,5
72,0
45,5
73,5
83,5
1100
5,2
typ.
1,95
2,35
2,45
5,8
2,35
2,8
18,5
0,60
3,0
400
max.
2,30
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,099 K/W
0,029
-40
150
K/W
°C
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 9,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 3,3
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 3,3
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
6,4
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3100 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 3,3
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 6,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2014-06-06
revision:2.4
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF225R17ME4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1700
225
450
8300
typ.
1,80
1,90
1,95
320
375
385
57,0
97,0
110
32,5
60,5
69,0
max.
2,20
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,16 K/W
0,047
-40
150
K/W
°C
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 3100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 3100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 3100 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2014-06-06
revision:2.4
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF225R17ME4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
-
-
345
3,4
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 200
typ.
0,009
20
1,10
125
6,00
6,0
max.
K/W
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2014-06-06
revision:2.4
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF225R17ME4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
450
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
400
350
300
250
200
150
100
50
0
V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 12 V
V
GE
= 10 V
V
GE
= 9 V
V
GE
= 8 V
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
450
400
350
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=3.3Ω,R
Goff
=6.2Ω,V
CE
=900V
200
175
150
125
E [mJ]
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
50
100
150
200 250
I
C
[A]
300
350
400
450
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2014-06-06
revision:2.4
5
微控制器 MCU
