RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN
厂商名称:SUMITOMO(住友)
厂商官网:https://global-sei.com/
器件标准:
下载文档型号 | FLM7785-18F |
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描述 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SUMITOMO(住友) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | CASE IK |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 15 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.8 A |
FET 技术 | JUNCTION |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |