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FLM7785-18F

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SUMITOMO(住友)

厂商官网:https://global-sei.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SUMITOMO(住友)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数
2
制造商包装代码
CASE IK
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
15 V
最大漏极电流 (ID)
5.8 A
FET 技术
JUNCTION
最高频带
C BAND
JESD-30 代码
R-CDFM-F2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
DEPLETION MODE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches
1
参数对比
与FLM7785-18F相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 FLM7785-18F
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 SUMITOMO(住友)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2
制造商包装代码 CASE IK
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V
最大漏极电流 (ID) 5.8 A
FET 技术 JUNCTION
最高频带 C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1
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