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FP10R12YT3_B4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, MODULE-23

器件类别：晶体管   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

器件标准：

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参数
FP10R12YT3_B4 在线购买

供应商：

器件：FP10R12YT3_B4

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
MODULE
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23
针数
23
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最大集电极电流 (IC)
16 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X23
元件数量
1
端子数量
23
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
最大功率耗散 (Abs)
69.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
VCEsat-Max
2.45 V
Base Number Matches
1
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