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FQI7N40

400V N-Channel MOSFET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Fairchild

厂商官网：http://www.fairchildsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TO-262
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
雪崩能效等级（Eas）
360 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7 A
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
0.8 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
3.13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
28 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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参数对比
与FQI7N40相近的元器件有：FQB7N40。描述及对比如下：
型号 FQI7N40 FQB7N40
描述 400V N-Channel MOSFET 400V N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-262 TO-263
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
雪崩能效等级（Eas） 360 mJ 360 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 7 A 7 A
最大漏极电流 (ID) 7 A 7 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.13 W 3.13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 28 A 28 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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