型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

FR105-B

rectifiers 1A 600v 150ns

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Rectron Semiconductor

厂商官网：http://www.rectron.com/

器件标准：

下载文档
参数 预览 参数对比
FR105-B 在线购买

供应商：

器件：FR105-B

价格：-

最低购买：-

库存：点击查看

点击购买

器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Rectron Semiconductor
零件包装代码
DO-41
包装说明
PLASTIC PACKAGE-2
针数
2
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码
DO-41
JESD-30 代码
O-PALF-W2
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）
265
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
600 V
最大反向恢复时间
0.25 µs
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
FR101
THRU
FR107
FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
*
*
Fast switching
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High surge capability
High reliability
DO-41
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.33 gram
1.0 (25.4)
MIN.
.034 (0.9)
DIA.
.028 (0.7)
.205 (5.2)
.166 (4.2)
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
o
at T
A
= 75 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
STG
FR101 FR102 FR103 FR104 FR105 FR105P FR106 FR107 FR107P UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
1.0
30
15
-55 to + 150
600
400
600
800
560
800
1000
700
1000
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
pF
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 25
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average, .375” (9.5mm) lead length at T
L
= 55
o
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
NOTES : 1. Test Conditions: I
F
= 0.5A, I
R
= -1.0A, I
RR
= -0.25A
2. Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
SYMBOL
V
F
FR101 FR102 FR103 FR104 FR105 FR105P FR106 FR107 FR107P UNITS
1.3
Volts
5.0
I
R
100
trr
150
250
150
500
250
uAmps
nSec
2002-11
uAmps
o
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( FR101 THRU FR107 )
FIG. 1 - TYPICAL FORWARD CURRENT
DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT, (A)
FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
50
PEAK FORWARD SURGE
CURRENT, (A)
8.3ms Single Half Sine-Wave
(JEDED Method)
1.0
.8
.6
.4
.2
0
0
25
50
75 100 125 150
AMBIENT TEMPERATURE, ( )
FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS
FORWARD CHARACTERISTICS
175
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
40
30
20
10
0
1
2
4 6 8 10
20
40 60 80 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT, (uA)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, (A)
20
10
3.0
1.0
0.3
0.1
.03
.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
TJ = 25
Pulse Width=300uS
1% Duty Cycle
10
6
4
2
1.0
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
TJ = 25
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
JUNCTION CAPACITANCE, (pF)
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
.1
.2
.4
1.0 2 4
10 20 40 100
REVERSE VOLTAGE, ( V )
TJ = 25
50
NONINDUCTIVE
FIG. 6 - TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE
RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
10
NONINDUCTIVE
trr
+0.5A
(-)
0
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
1
NON-
INDUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
(+)
-1.0A
1
NOTES: Rise Time = 7ns max. Input Impedance =
1 megohm. 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Souce Impedance =
50 ohms.
1cm
SET TIME BASE FOR
50/100 ns/cm
(+)
25 Vdc
(approx)
(-)
D.U.T
-0.25A
RECTRON
查看更多>
参数对比
与FR105-B相近的元器件有：FR103-B、FR104-B、FR102-T、FR107-B。描述及对比如下：
型号 FR105-B FR103-B FR104-B FR102-T FR107-B
描述 rectifiers 1A 600v 150ns rectifiers 1A 200v 150ns rectifiers 1A 400v 150ns rectifiers 1A 100v 150ns rectifiers 1A 1000v 150ns
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2 PLASTIC PACKAGE-2 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code _compli _compli not_compliant _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） 265 265 265 265 265
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 200 V 400 V 100 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.25 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.15 µs 0.5 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Rectron Semiconductor - Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor
热门器件
热门资源推荐
双极型晶体管( BJT)ppt 太赫兹倍频器的设计与实现.pdf ) 数字拨盘（旋转编码器） wifi射频电路 基于RMS-DC转换芯片的高频电刀检测仪的研制 电气电子产品类强制认证实施规则（家用） MLX90614_MLX90615兼容性.pdf 西门子S7-200 CPU PID控制图解 智能车整体系统设计方案_“飞思卡尔”杯全国大学生智能汽车竞赛技术报告 运算放大器应用全图解 (王振红编著)
想入手个示波器，求推荐 [分享]在树莓派64位上安装TensorFlow 提供ISDB-T full-seg移动电视模块， 双管反击输入电压莫名其妙升起来 又要考期末了，，，，，我的数电啊 求 怎么用SmartDraw画滤波器的结构图 74ls192芯片 EEWORLD大学堂----直播回放: TI 毫米波雷达在工业上的应用 EEWORLD大学堂----直播回放 : TI Sitara? 产品在智能电网中的应用 电子元器件散热设计
简洁的过零调功器电路设计与分析 单稳态控制电路设计与分析 光控电路设计与分析 永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图 运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式 比较常见的功率整流器和滤波电路 一个简单的红外耳机电路 基于TDA1554的立体声放大器电路
器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
需要登录后才可以下载。
登录取消