型号

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关键词

FRM230D4

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Harris

厂商官网：http://www.harris.com/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Harris

包装说明

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

RADIATION HARDENED

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

200 V

最大漏极电流 (ID)

8 A

最大漏源导通电阻

0.5 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-204AA

JESD-30 代码

O-MBFM-P2

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

ROUND

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

75 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

24 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

PIN/PEG

端子位置

BOTTOM

晶体管元件材料

SILICON

文档预览

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