首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

FRM9230R3

4A, 200V, 1.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
RADIATION HARDENED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4 A
最大漏极电流 (ID)
4 A
最大漏源导通电阻
1.3 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-204AA
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
75 W
最大功率耗散 (Abs)
75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
12 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消