European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FS 800 R 06 KF1
61,5
13
61,5
M6
31,5
190
57
171
U
V
W
CX CU
2,8x0,5
CY CV
3,35
CZ CW
4 deep
5,5
5
3x5=15
GX EX EU GU
GY EY EV GV
26,4
7
GZ EZ EW GW
+
Cu
Gu
Eu
Cv
Gv
Ev
+
Cw
Gw
Ew
external connection
+ to be done
U
V
W
Cx
Gx
Ex
-
Cy
Gy
Ey
-
Cz
Gz
Ez
- external connection
to be done
VWK, May 1996
IGBT-Module
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
collector-emitter voltage
DC-collector current
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
repetitive peak forw. current
insulating test voltage
V
CES
I
C
I
CRM
P
tot
V
GE
I
F
I
FRM
V
ISOL
FS 800 R 06 KF1
Vorläufige Daten
Preliminary Data
600
800
1600
2500
+/- 20
800
1600
2,5
min.
i
C
=800A, v
GE
=15V, t
vj
=25°C
i
C
=800A, v
GE
=15V, t
vj
=125°C
i
C
=18mA, v
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C
f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V,v
GE
=0V
v
CE
=600V, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
v
CE
=600V, v
EG
=0V, t
vj
=125°C
v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25°C
v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25°C
i
C
=800A,v
CE
=300V
v
L
=
±
15V,R
G
=3,9
Ω
,t
vj
=25°C
v
L
=
±
15V,R
G
=3,9
Ω
,t
vj
=125°C
i
C
=800A,v
CE
=300V
v
L
= ±15V,R
G
=12
Ω
, t
vj
=25°C
v
L
= ±15V,R
G
=12
Ω
, t
vj
=125°C
i
C
=800A,v
CE
=300V
v
L
= ±15V,R
G
=12
Ω
, t
vj
=25°C
v
L
= ±15V,R
G
=12
Ω
, t
vj
=125°C
v
CE sat
v
GE(th)
C
ies
i
CES
i
GES
i
EGS
t
on
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
t
s
-
-
t
f
-
-
0,20
0,35
- µs
- µs
1,75
1,95
- µs
- µs
typ.
-
-
5,0
44
16
160
-
-
0,65
0,65
max
2,7
2,8
-
-
-
-
400
400
V
V
V
nF
mA
mA
nA
nA
V
A
A
W
V
A
A
kV
t
p
=1 ms
t
C
=25°C, Transistor /transistor
t
p
=1ms
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
Gate-Schwellspannung
Eingangskapazität
Kollektor-Emitter Reststrom
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
collector-emitter saturation voltage
gate threshold voltage
input capacity
collector-emitter cut-off current
gate leakage current
gate leakage current
turn-on time (inductive load)
- µs
- µs
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaßspannung
Rückstromspitze
forward voltage
peak reverse recovery current
i
F
=800A, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
i
F
=800A, v
GE
=0V, t
vj
=125°C
i
F
=800A
v
RM
=300V, v
EG
=10V, t
vj
=25°C
v
RM
=300V, v
EG
=10V, t
vj
=125°C
i
F
=800A
v
RM
=300V, v
EG
=10V, t
vj
=25°C
v
RM
=300V, v
EG
=10V, t
vj
=125°C
V
F
I
RM
-
-
Q
r
-
-
-
-
- µAs
- µAs
-
-
- A
- A
-
-
-
-
2,4 V
- V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul/per
R
thJC
Module
Transistor, DC, pro Zweig/per arm
Diode, DC, pro Modul/per module
Diode, DC, pro Zweig/per arm
pro Modul / per module
R
thCK
pro Zweig / per arm
t
vj max
Transistor
t
c op
Diode
t
stg
0,0084
0,0500
0,0167
0,1000
0,006
0,036
150
-40...+150
-40...+125
-40...+125
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
Gewicht
case, see appendix
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
Al
2
O
3
3 Nm
5...6 Nm
ca.2300 g
terminals M6
terminals M6
M1
M2
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
