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FSGJ264D1

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 250V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
包装说明
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
250 V
最大漏极电流 (ID)
42 A
最大漏源导通电阻
0.049 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-254AA
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
235
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
160 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与FSGJ264D1相近的元器件有:FSGJ264R4、FSGJ264R3。描述及对比如下:
型号 FSGJ264D1 FSGJ264R4 FSGJ264R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 250V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 250V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 250V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V
最大漏极电流 (ID) 42 A 42 A 42 A
最大漏源导通电阻 0.049 Ω 0.049 Ω 0.049 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 160 A 160 A 160 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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