FT25H16T-RB,FT25H16T-RB pdf中文资料,FT25H16T-RB引脚图,FT25H16T-RB电路-Datasheet-电子工程世界

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Fremont Micro Devices

Preliminary FT25H16

Confidential Rev1.1

DS25H16-page1

fid

FT25H16

DATASHEET

tia

Fremont Micro Devices

Preliminary FT25H16

CONTENTS

1. FEATURES ................................................................................................................................................. 4

2. GENERAL DESCRIPTION ......................................................................................................................... 6

3. MEMORY ORGANIZATION ....................................................................................................................... 8

4. DEVICE OPERATION ................................................................................................................................ 9

5. DATA PROTECTION ................................................................................................................................10

6. STATUS REGISTER ................................................................................................................................12

7.1. W

RITE

NABLE

(WREN) (06H) ...............................................................................................................18

7.2. W

RITE

ISABLE

(WRDI) (04H) ...............................................................................................................18

7.3. R

EAD

TATUS

EGISTER

(RDSR) (05H

35H).....................................................................................18

7.5. R

EAD

ATA

YTES

(READ) (03H)...........................................................................................................19

7.6. R

EAD

ATA

YTES

IGHER

PEED

AST

EAD

) (0BH) .......................................................................20

7.7. D

UAL

UTPUT

AST

EAD

(3BH) ............................................................................................................20

7.8. Q

UAD

UTPUT

AST

EAD

(6BH) ...........................................................................................................21

7.9. D

UAL

I/O F

AST

EAD

(BBH) ...................................................................................................................22

7.10. Q

UAD

I/O F

AST

EAD

(EBH).................................................................................................................23

7. 12. P

AGE

ROGRAM

(PP) (02H) ................................................................................................................25

7. 13.Q

UAD

AGE

ROGRAM

(QPP) (32H).....................................................................................................26

7.15. 32KB B

LOCK

RASE

(BE) (52H)...........................................................................................................28

7.16. 64KB B

LOCK

RASE

(BE) (D8H) ..........................................................................................................28

7.17. C

HIP

RASE

(CE) (60/C7H) .................................................................................................................29

7.18. D

EEP

OWER

-D

OWN

(DP) (B9H) .........................................................................................................29

7.19. R

ELEASE FROM

EEP

OWER

-D

OWN

EAD

EVICE

ID (RDI) (ABH) ...............................................30

7.14. S

ECTOR

RASE

(SE) (20H) ..................................................................................................................27

7.20. R

EAD

ANUFACTURE

ID/ D

EVICE

ID (REMS) (90H) ..............................................................................31

7.21. R

EAD

DENTIFICATION

(RDID) (9FH) .....................................................................................................32

7.22. H

IGH

PEED

ODE

(HSM) (A3H) .........................................................................................................32

7.23. C

ONTINUOUS

EAD

ODE

ESET

(CRMR) (FFH) .................................................................................33

7.24. P

ROGRAM

RASE

USPEND

(PES) (75H) .............................................................................................33

7.25. P

ROGRAM

RASE

ESUME

(PER) (7AH) ..............................................................................................34

7.26. E

RASE

ECURITY

EGISTERS

(44H) .....................................................................................................34

7.27. P

ROGRAM

ECURITY

EGISTERS

(42H) ................................................................................................35

7.28. R

EAD

ECURITY

EGISTERS

(48H) .......................................................................................................36

8. ELECTRICAL CHARACTERISTICS ........................................................................................................37

8.1. P

OWER

IMING

.................................................................................................................................37

8.2. I

NITIAL

ELIVERY

TATE

........................................................................................................................37

8.3. D

ATA

ETENTION AND

NDURANCE

.........................................................................................................37

Confidential Rev1.1

DS25H16-page2

7.11. Q

UAD

I/O W

ORD

AST

EAD

(E7H).......................................................................................................24

fid

7.4. W

RITE

TATUS

EGISTER

(WRSR) (01H) ...............................................................................................19

tia

7. COMM ANDS DESCRIPTION..................................................................................................................14

Fremont Micro Devices

Preliminary FT25H16

8.4. L

ATCH UP

HARACTERISTICS

..................................................................................................................37

8.5. A

BSOLUTE

AXIMUM

ATINGS

................................................................................................................38

8.6. C

APACITANCE

EASUREMENT

ONDITION

...............................................................................................38

8.7. DC C

HARACTERISTICS

............................................................................................................................39

8.8. AC C

HARACTERISTICS

............................................................................................................................40

9. ORDERING INFORMATION ....................................................................................................................42

10. PACKAGE INFORMATION ....................................................................................................................43

10.1.P

ACKAGE

SOP8 150MIL .......................................................................................................................43

10.2. P

ACKAGE

SOP8 208MIL ......................................................................................................................44

10.3. P

ACKAGE

DIP8 300MIL .......................................................................................................................45

10.5. P

ACKAGE

TSSOP8 173MIL .................................................................................................................47

11. REVISION HISTORY ..............................................................................................................................48

Confidential Rev1.1

DS25H16-page3

fid

tia

10.4. P

ACKAGE

VSOP8 208MIL....................................................................................................................46

Fremont Micro Devices

Preliminary FT25H16

1. FEATURES



16M -bit Serial Flash





2048K-byte

256 bytes per programmable page

Standard, Dual, Quad SPI



Standard SPI: SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD#

Dual SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, WP#, HOLD#

Quad SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, IO2, IO3



High Speed Clock Frequency



120MHz for fast read with 30PF load

Dual I/O Data transfer up to 240Mbits/s

Quad I/O Data transfer up to 480Mbits/s



Program/Erase Speed



Page Program time: 0.4ms typical

Sector Erase time: 120ms typical

Block Erase time: 0.2/0.4s typical

Chip Erase time: 10s typical



Flexible Architecture



Sector of 4K-byte

Block of 32/64k-byte



Low Power Consumption



5uA maximum power down current



Software/Hardware Write Protection



Write protect all/portion of memory via software

Enable/Disable protection with WP# Pin

Top or Bottom, Sector or Block selection



Advanced security Features



4*256-Byte Security Registers With OTP Lock



Single Power Supply Voltage: Full voltage range:2.7~3.6V

Minimum 100,000 Program/Erase Cycle

20mA maximum active current

Confidential Rev1.1

DS25H16-page4

fid

tia

Fremont Micro Devices



Hardware Features



8-pin SOP8 (150mil)

8-pin SOP8 (208mil)

8-pin DIP8 (300mil)

8-pin VSOP8 (200mil)

8-pin TSSOP8 (173mil)

Preliminary FT25H16

Confidential Rev1.1

DS25H16-page5

fid

tia

型号	FT25H16T-RB	FT25H16S-RT
描述	IC FLASH 16M SPI 120MHZ 8TSSOP	IC FLASH 16M SPI 120MHZ 8SOP
存储器类型	非易失	非易失
存储器格式	闪存	闪存
技术	FLASH	FLASH
存储容量	16Mb （2M x 8）	16Mb （2M x 8）
时钟频率	120MHz	120MHz
写周期时间 - 字，页	2.4ms	2.4ms
存储器接口	SPI	SPI
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V	2.7 V ~ 3.6 V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装	表面贴装
封装/外壳	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-TSSOP	8-SOP

【得捷电子Follow me第2期】任务汇总贴: 首先，感谢活动主办方得捷电子与eeworld电子工程世界举办的这次活动，使我学习到了许多东...; eew_wdn7TD DigiKey得捷技术专区

我用creat创建的新对话框为什么只闪了一下就没了: 从dialog a创建的，creat（iddof_dialog_b，this）我用creat创建的...; azhe999 嵌入式系统

旋钮式键盘及其与AT89C52的接口技术: 旋钮式键盘及其与AT89C52的接口技术旋钮式键盘及其与AT89C52的接口技术谢谢了，我现在做...; 蓝色枫 Microchip MCU

智能手机成熟稳定性的关键——选对平台: 关键字：智能手机测试 Windows Mobile 转载：电子工程专辑智能...; 安_然测试/测量

基于AT89S52单片机的nRF2401无线模块全套资料: 刚来报到，给大家传份资料，有用到的可以下载看看，今后多多照顾！有点不会用，上一个附件没传上来...; huochaobin RF/无线

适合arm的通用的printf,只要提供putc函数就可..: void CommPrintf( void (*fputc)(CPU_INT08S),const...; 纯金属 stm32/stm8

使用TNY376PN的四路输出、平均输出功率7.5W、峰值功

使用TNY376PN的四路输出、平均输出功率7.5W、峰值功率13W的电源电路图14显示了一个采用TNY376的低成本、通用输入、四路输出的反激式电源设计。连续输出功率为7.5 W，峰值功率为13 W。输出电压分别为3.3 V、5 V、12 V及–12 V。经整流及滤波的输入电压加在T1的初级绕组上。U1中集成的MOSFET驱动变压器初级的另一侧。二极管D5、C3、R1、R2、及V...[详细]
STM32F4_RCC系统时钟配置及描述

Ⅰ、概述对于系统时钟应该都知道它的作用，就是驱动整个芯片工作的心脏，如果没有了它，就等于人没有了心跳。对于使用开发板学习的朋友来说，RCC系统时钟这一块知识估计没怎么去配置过，原因在于开发板提供的晶振基本上都是官方标准的时钟频率，使用官方的标准库，这样系统时钟就是默认的配置，也就是默认的频率。但对于自己设计开发板，或者想要改变系统时钟频率（如：降低功耗就需要降频）的朋友来说，配置系统时...[详细]
汽车无钥匙控制系统如何设计与实现量产烧录？

摘要：大多数电子从业者对“看门狗”并不陌生，这是为了防止计算机程序进入死循环而跳出的一种技术手段，本文将向大家展示一个不同于传统意义上的汽车“看门狗”，看一下汽车无钥匙控制系统的设计与量产烧录。从全球汽车市场来看，2005年以来行业整体保持增长趋势，汽车销量从2005年的6595.76万量，增长到2015年的8967.80万量，年复合增长率3.12%。随着用车量的增加，汽车的防盗技术得到...[详细]
小米10骁龙870版或在本月发布：外放音质再提升，不含充电器

博主 @数码闲聊站昨天称，小米 10 骁龙 870 版暂定于本月上市。此外，新版小米 10 具备哈曼卡顿认证，外放音质再次提升，包装盒内不再含 33W 充电器。 IT之家了解到，去年 2 月份，小米 10 手机正式发布。小米 10 系列手机搭载了旗舰骁龙 865 处理器，双模 5G，全系采用 LPDDR5 内存、WiFi 6、UFS 3.0 存储、1 亿像素相机等，还采用 90H...[详细]
总投10亿元，威科锐电子终端产品生产项目签约落户江西

5月31日，江西省吉安市泰和县举行数字经济产业项目签约仪式。泰和风消息显示，会上，威科锐电子终端产品生产项目、电子元器件生产项目等三个项目签约，总投资额达21亿元。威科锐电子终端产品生产项目该项目由深圳市威科锐科技有限公司投资兴建，总投资为10亿元，项目分两期建设，主要从事手机、机顶盒、光猫、路由器等电子终端产品和摄像头模组、光学镜头、芯片封测等电子零部件的研发、生产和销售。电子元器件生...[详细]
基于FPGA的数字复接系统帧同步器设计与实现

摘要：介绍了应用ＦＰＧＡ技术进行帧同步器设计的实现原理、系统框图及设计中需要注意的问题，给出了用ＶＨＤＬ描述的几个模块的源代码。关键词：数字复接；帧同步器；ＦＰＧＡ在数字通信网中，为了提高传输效率，常常需要将若干路低速数字信号合并成一路高速数字信号，以便通过高速信道进行传输。实现此功能的设备称为数字复接系统。数字复接系统包括发送端和接收端两部分，通常称为复接器和分接器。为了使分接器...[详细]
Facebook：挡住脸我们也能从人堆里认出你

得益于计算机图像处理技术的最新进步，我们现在的一些设备已可以在千百万人中认出你来。但是如果你故意把脸部遮住，结果又会如何? 　　根据美国科技新闻网站“新科学家”报道，社交网络Facebook旗下的人工智能技术团队，成功开发了一种新技术，在人脸被遮住时，利用发型和衣服等信息，进行身份识别，成功率已经超过八成。　　这项技术试图利用脸部特征之外的其他信息来判断用户身份，其中包括所穿着的衣服...[详细]
玩Mega8 智能充电器-12. 终于实现-dV检测

方法： 1) ADC部分, 硬件RC滤波, 软件每次测量连续获取5个ADC值, 去掉最高和最低的值, 最后剩下的取平均. 2) 记录电压的最高值, 只要达到了一个电压值,就记录在变量TOP内. 如果电压下降到top-12mV,并且连续3次,则确认-dV, 充电完成. 3) 只要突破TOP,则-dV计数复位. if( ic- top_voltage (ic- voltage+0.012) )...[详细]
电动汽车用电池智能化快速充电研究

电动汽车用电池的快速充电是电动汽车研究与开发过程中的重要课题。尽管许多实用化的充电设备或商用充电器具有快速充电及均衡充电的功能，但其通常是按事先设定的充电电流对电池进行充电。这种方法不能根据电池充电过程中的具体情况对充电电流进行调整，为了避免出现过充电，设定的充电电流通常偏小，因此充电时间仍然较长，而且由于不具备自适应能力，充电过程中容易出现过充电现象，对蓄电池的寿命不利。为了在实现快速充电的...[详细]
2014年CES酝酿“核”变

本报特派记者李瀛寰发自拉斯维加斯 CES是世界最大的消费类电子产品和技术的年度会展，今年有3200多家厂商参展，总计展示15大类产品，20个技术专区，共有2万多种新产品问世。科技的进步历来是从“芯”而动，如同过去计算机的快速发展离不开硅晶芯片的推动一样，2014年CES展会上，仍有很多新奇产品的展示，但有一个重要趋势就是，向智能可穿戴设备、车联网的发展中，芯片能力的大幅提升让人...[详细]
全球OLED第三季度营收环比下降逾一成

根据DisplaySearch第四季OLED出货报告最新研究数据显示，OLED在2008年第三季度整体营收达到1亿4千1百万美元，与上一季相比下降了11%，不过较去年同期增长60%。　　从AMOLED供货商来看，台湾地区奇晶光电出货量排名第二，同时第三季出货创历史新高，较上一季增长14%。而Samsung SDI（将与三星电子中小尺寸部门合并成立三星手机显示部门）仍是排名第一的供货商，第...[详细]
飞利浦对“未来医院”的创想

　　随着各种医院信息管理系统和医疗临床信息系统的普及，医院工作流程正发生着改变和创新。在西欧，不同医院可以交换病史资料;在美国，医生之间可以交换一些检查影像类资料;在中国上海，也实现了不同医疗机构的部门间的信息共享。　　对于各家医疗设备生产商来说，这都是一块很有前景的市场。在接受记者采访时，飞利浦全球高级副总裁兼首席医学事务官艾瑞克·塞尔芬(Eric Zachary Silfen)谈到了其...[详细]
realme X3超级变焦版真机照解密：60倍潜望镜

近日，有外媒曝光了realme X3 SuperZoom（超级变焦版）的大量真机照，确认了许多细节信息。　　外观方面，realme X3超级变焦版采用了后置竖排四摄+前置双挖孔的设计，侧面指纹识别，底部边框容纳了扬声器、Type-C接口、麦克风与SIM卡槽，整体与国内的realme X50m十分相似。　　值得一提的是realme X3超级变焦版的后置四摄中最上面一颗是潜望镜摄像头，据此...[详细]
通光设立博士后创新实践基地

2012年10月17日，通光博士后创新实践基地揭牌仪式在通光线缆报告厅隆重举行。南通人社局副局长朱正春、南通人社局人才开发处处长陈锡龙、海门人社局副局长施威与公司相关高层出席了揭牌仪式。公司相关部门负责人、员工代表参加了仪式。揭牌仪式上，通光高层领导在讲话中指出：博士后创新实践基地的建立，是通光人才培养上的新台阶新起点。博士后创新实践基地建立后，通光将展开博士后招收、培训、任用及管理的一...[详细]
汇顶科技助力小米15全系标配超声波指纹

10月29日，小米在新品发布会上推出了全新的小米15和小米15 Pro两款机型，均搭载了汇顶科技的超声波指纹识别方案。这是超声波指纹技术首次成为小米主流机型的全系标配。据汇顶科技介绍，该方案基于其自主知识产权和创新的CMOS传感器架构，以及晶圆级声学层加工技术，不仅显著提升了解锁的准确性和速度，还大幅优化了供应链制造工艺，加速了超声波指纹技术的普及。自今年年初以来，汇顶科技的超声波指纹方案已成功...[详细]