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GM71V4403ELR-70

EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
包装说明
TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
反向引出线
YES
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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参数对比
与GM71V4403ELR-70相近的元器件有:GM71V4403ET-60、GM71V4403ELJ-70、GM71V4403ELJ-80、GM71V4403ELR-60、GM71V4403ELR-80、GM71V4403ELT-60、GM71V4403ELT-80。描述及对比如下:
型号 GM71V4403ELR-70 GM71V4403ET-60 GM71V4403ELJ-70 GM71V4403ELJ-80 GM71V4403ELR-60 GM71V4403ELR-80 GM71V4403ELT-60 GM71V4403ELT-80
描述 EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, EDO DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
包装说明 TSOP, TSOP20/26,.36 TSOP, TSOP20/26,.36 SOJ, SOJ20/26,.34 SOJ, SOJ20/26,.34 TSOP, TSOP20/26,.36 TSOP, TSOP20/26,.36 TSOP, TSOP20/26,.36 TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 70 ns 60 ns 70 ns 80 ns 60 ns 80 ns 60 ns 80 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4
端子数量 20 20 20 20 20 20 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP SOJ SOJ TSOP TSOP TSOP TSOP
封装等效代码 TSOP20/26,.36 TSOP20/26,.36 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 TSOP20/26,.36 TSOP20/26,.36 TSOP20/26,.36 TSOP20/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0001 A 0.001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.07 mA 0.08 mA 0.07 mA 0.065 mA 0.08 mA 0.065 mA 0.08 mA 0.065 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND J BEND GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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