GM71VS65403ALT-6,GM71VS65403ALT-6 pdf中文资料,GM71VS65403ALT-6引脚图,GM71VS65403ALT-6电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与GM71VS65403ALT-6相近的元器件有：GM71V65403AT-5、GM71VS65403ALJ-6、GM71V65403AJ-5、GM71V65403AJ-6、GM71V65403AT-6、GM71VS65403ALJ-5、GM71VS65403ALT-5。描述及对比如下：

型号	GM71VS65403ALT-6	GM71V65403AT-5	GM71VS65403ALJ-6	GM71V65403AJ-5	GM71V65403AJ-6	GM71V65403AT-6	GM71VS65403ALJ-5	GM71VS65403ALT-5
描述	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATION
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP	SOJ	TSOP
封装等效代码	TSOP32,.46	TSOP32,.46	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	TSOP32,.46	SOJ32,.44	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	NO	YES	NO	NO	NO	YES	YES
最大待机电流	0.0003 A	0.0005 A	0.0003 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0003 A	0.0003 A
最大压摆率	0.17 mA	0.19 mA	0.17 mA	0.19 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.19 mA	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

I2C的口线配置问题，请高手解答: 如果先把I2C的相关I/O口配置成通用输入接口，然后在配置成I2C的接口，测试I2C功能正常；但是如...; sflxq stm32/stm8

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可使电池寿命长达20年的微控制器节能设计

在设计电池供电产品时，人们显然希望电池寿命应该尽可能长些。作为一个快速发展的设备种类，从单电池发展起来的应用不仅仅停留在规格上：而是以整个产品的概念为中心。能源敏感的产品应用大致分为能源计量系统、家庭与楼宇自动化、安全和医疗系统（图1）。这些产品通常会围绕一个微控制器（MCU），必须用单一的原电池运作很长时间。在某些应用中，要想更换电池是很难的甚至不可能的：在其它应用中，最终用户不愿意支付...[详细]
存储器寒冬来袭？2019年 DRAM降价将会比预期更猛

集微网消息，DRAM内存降价已是必然，内存大厂已纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止，降的时候看来势头会比预期更狠。瑞银分析师Timothy Arcuri日前发布了关于内存市场的分析报告，虽然维持美光公司的中性评级，但他下调了美光的目标股价，从52美元砍至41美元。他不看好美光股价的原因就是明年Q1季度内存降价幅度要高于预期，之前分析认为明年环比下架10-12%左右，但是新...[详细]
设计低静态电流 (Iq) 汽车电池反向保护系统的 3 种方法

车辆中电子电路数量不断增加，使得需要消耗的电池电量也随之大幅增长。为了支持遥控免钥进入和安全等功能，即使在汽车停车或熄火时，电池也要持续供电。由于所有车辆都使用有限的电池供电，因此必须找到一种方法，一方面能增加更多功能（尤其是在设计汽车前端电源系统时），同时又不会显著增加耗电量。是否需要符合严格的电磁兼容性 (EMC) 标准（例如，国际标准化组织的 ISO7637 和德国汽车制造商制定的L...[详细]
Galaxy Z Fold 3或是三星首款采用屏下摄像技术的手

在过去的几年中，不少品牌已经展示了屏下摄像技术。但是，中兴通讯目前是唯一一家采用该技术的智能手机制造商。最新消息称，三星正在研究一款可能会采用屏下摄像技术的设备-Galaxy Z Fold 3，预计 2021 年发布。首款 Galaxy Fold 于 2019 年发布，Galaxy Z Fold 2 则于 2020 年 9 月发布，与第一款机型相比有显著改进，并具有圆形的打孔。 ET...[详细]
变送器的选用

摘要：各种形式的传感器和变送器是工业数据采集和工业过程控制系统不可缺少的电子元器件。了解各种变送器的工作机理和结构特性可为电子开发设计者提供更多的参考。文中介绍了各种变送器的工作原理和结构特征，可供设计为员选用时参考。关键词：变送器传感器测量数据采集传感器和变送器在仪器、仪表和工业自动化领域中起着举足轻重的作用。与传感器不同，...[详细]
第 11 代智能英特尔®酷睿™移动版和英特尔®至强® W-11000 发布

第 11 代智能英特尔®酷睿™高性能移动版处理器和英特尔®至强® W-11000 系列处理器正式发布，带来业界出众的移动性能最新消息：2021年5月11日，北京——今天，英特尔面向全球重磅推出全新第 11 代智能英特尔® 酷睿™高性能移动版处理器（代号“Tiger Lake-H”），包括该系列的旗舰产品英特尔® 酷睿™ i9-11980HK，被称为“全球最强的游戏笔记本电脑处理器”1...[详细]
TI EMI如何通过介质干扰电路

电磁干扰（EMI）是我们生活的一部分。随着时间的推移，有意和无意的 EMI 辐射源的大量产生会对电路造成严重的破坏。这些辐射源的信号并非一定会污染电路，但我们的目的就是要让低噪声系统远离这些危害。我们可以设想，一名医生使用一台心电图诊断设备，想要准确地对心脏进行诊断。在知道这是一台高精密的测量设备后，我们便不会担心讨厌的噪声会出现在诊断结果中。这是一种低频测量，电子设备不会超过 1MHz。但...[详细]
河南能源监管办推进电力辅助服务市场建设

中国储能网讯：按照河南电力辅助服务市场建设工作方案，结合河南电网运行实际，10月12日，河南能源监管办启动河南电力调峰辅助交易模拟试运行。今年以来，随着全省用电负荷波动加大、新能源装机增多、供热机组改造增加、外电入豫增多等因素影响，河南电网调峰日趋困难，日最大峰谷差率达到36%左右。河南能源监管办积极推进电力辅助服务市场，运用市场机制破解电网调峰难题。一是在7月底制定印发...[详细]
Molex 收购 Interconnect Systems, Inc.

2016年4月12日,全球领先的电子解决方案制造商 Molex宣布完成对 Interconnect Systems, Inc.（即 ISI ）的收购，后者专业从事通过先进互连技术实现高密度硅片封装的设计与制造。 Molex 高级副总裁 Tim Ruff 表示，此次收购可使 Molex 为全球客户提供一系列广泛的全集成解决方案。对于 ISI 团队可以为 Molex 提供的独一无二的能力与技术，...[详细]
2009年全球付费电视用户出现大幅增长

Light Reading Communications Network 旗下电信调研机构 Pyramid Research 发布的第一季度最新《Media Forecast》（媒体预测报告）显示，尽管经济环境充满挑战，但预计2009年全球付费电视用户将增长8%，达到近7.33亿。 Pyramid Research 的《Media Forecast》系列报告旨在在地区以及全球层面就...[详细]
印度禁用中国App后千万粉丝网红或失业

最近，印度从官方到民间都掀起了一场全面抵制中国制造的活动，印度电子信息技术部已经宣布，禁止包括TikTok、微信、茄子快传、UC浏览器、QQ、快手和美图等在内的59款中国应用。目前海外版抖音TikTok已经在印度被下架，用户无法访问，这让不少TikTok用户感到不满，特别是一些靠这个吃饭的大V网红。一些拥有上千万粉丝的印度大V用户表示，印度的App禁令让他们失去了主要收入来源。几年中...[详细]
英特尔为2020东京奥运会提供AI技术

在5月23日举行的英特尔开发者大会上，作为奥林匹克全球“TOP 合作伙伴”和官方人工智能平台合作伙伴，英特尔宣布举行英特尔奥林匹克人工智能挑战赛，在开发者社区征集创新想法，共同探讨如何利用人工智能助力全球最大的体育盛事。 “作为奥林匹克全球‘TOP 合作伙伴’和奥林匹克官方人工智能平台合作伙伴，英特尔非常荣幸可以向全世界的体育迷和选手们展示科技助力奥林匹克的魅力”，英特尔公司全球副总裁兼...[详细]
常用集成电路的检测

　　1、微处理器集成电路的检测　　微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值（可从产品电路图或有关维修资料中查出）相同。不同型号微处理器的RESET复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平；有的是高电平复位，即在开关瞬...[详细]
三星电子量产业内首款8Gb LPDDR4 移动DRAM

全球存储行业领导者三星电子今日宣布，已开始量产业内首款20纳米8Gb LPDDR4移动DRAM。 LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。全新的20纳米8Gb LPDDR4内存，在性能和集成度上都比20纳米级4Gb LPDDR3内存提高一倍。此外，单颗容量高达8Gb的芯片使4GB LPDDR4封装成为可能，而这款封装则荣获了2015年国际消费电子展(CES, Con...[详细]
智能软启动柜浮球控制设置在哪

智能软启动柜是一种用于电动机启动和控制的设备，它通过控制电动机的启动电流，减少启动时的冲击，延长电动机的使用寿命。智能软启动柜的浮球控制设置是其中的一个重要功能，可以有效地控制水位，防止水泵空转或过载。一、浮球控制的原理 1.1 浮球控制的基本概念浮球控制是一种利用浮球的浮力来控制水位的装置。当水位上升时，浮球受到的浮力增大，使浮球上升；当水位下降时，浮球受到的浮力减小，使浮球下降。通过...[详细]