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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LFPAK-5
厂商名称：Hitachi （Renesas ）
厂商官网：http://www.renesas.com/eng/
下载文档| 型号 | HAT2099H | HAT2085T |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LFPAK-5 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TTP-8D, TSSOP-8 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数 | 5 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 50 A | 1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 A | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0073 Ω | 0.64 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 | R-PDSO-G8 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 30 W | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |