型号
- 型号
- 关键词
| 型号 | HGT1S14N41G3VLS | HGTP14N41G3VL |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,445V V(BR)CES,TO-220AB |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 集电极-发射极最大电压 | 445 V | 445 V |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 2.2 V | 2.2 V |
| 门极-发射极最大电压 | 10 V | 10 V |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 136 W | 136 W |
| 最大上升时间（tr） | 4500 ns | 4500 ns |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |