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HM6207HLP-35

Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Hitachi (Renesas )

厂商官网:http://www.renesas.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Hitachi (Renesas )
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP24,.3
针数
24
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
35 ns
其他特性
TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T24
JESD-609代码
e0
长度
29.88 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端子数量
24
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP24,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.0001 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
参数对比
与HM6207HLP-35相近的元器件有:HM6207HLJP-35、HM6207HJP-25、HM6207HP-45、HM6207HP-35。描述及对比如下:
型号 HM6207HLP-35 HM6207HLJP-35 HM6207HJP-25 HM6207HP-45 HM6207HP-35
描述 Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP SOJ SOJ DIP DIP
包装说明 DIP, DIP24,.3 SOJ, SOJ24,.34 SOJ, SOJ24,.34 DIP, DIP24,.3 DIP, DIP24,.3
针数 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 35 ns 25 ns 45 ns 35 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24
长度 29.88 mm 15.63 mm 15.63 mm 29.88 mm 29.88 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ SOJ DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.3 SOJ24,.34 SOJ24,.34 DIP24,.3 DIP24,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.76 mm 3.76 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 2 V 2 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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