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HS9-4424RH/PROTO

门驱动器 RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER

器件类别:模拟混合信号IC    驱动程序和接口   

厂商名称:Renesas(瑞萨电子)

厂商官网:https://www.renesas.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码
DFP
包装说明
DFP,
针数
16
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
USML XV(E)
高边驱动器
NO
接口集成电路类型
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码
R-CDFP-F16
JESD-609代码
e0
功能数量
2
端子数量
16
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
标称输出峰值电流
2 A
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DFP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.92 mm
最大供电电压
18 V
最小供电电压
12 V
标称供电电压
15 V
表面贴装
YES
技术
BICMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
TIN LEAD
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
断开时间
0.25 µs
接通时间
0.25 µs
宽度
6.73 mm
参数对比
与HS9-4424RH/PROTO相近的元器件有:HS9-4424BRH/PROTO。描述及对比如下:
型号 HS9-4424RH/PROTO HS9-4424BRH/PROTO
描述 门驱动器 RADIATION HARDENED DUAL POWER MOSFET DRIVER 门驱动器 RADIATION HARDENED NON INV MOSFET DR W/7.5V LVLO, CLASS V
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 DFP DFP
包装说明 DFP, DFP,
针数 16 16
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 USML XV(E) USML XV(E)
高边驱动器 NO NO
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
JESD-609代码 e0 e0
功能数量 2 2
端子数量 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
标称输出峰值电流 2 A 2 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.92 mm 2.92 mm
最大供电电压 18 V 18 V
最小供电电压 12 V 12 V
标称供电电压 15 V 15 V
表面贴装 YES YES
技术 BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
断开时间 0.25 µs 0.25 µs
接通时间 0.25 µs 0.25 µs
宽度 6.73 mm 6.73 mm
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