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2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
厂商名称：Fairchild
厂商官网：http://www.fairchildsemi.com/
下载文档| 型号 | HUFA76504DK8 | HUFA76504DK8T |
|---|---|---|
| 描述 | 2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | 2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild |
| Reach Compliance Code | compliant | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 80 V | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.3 A | 2.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.5 A | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | MS-012AA | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | 2.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |