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HWL30NPA

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Hexawave

厂商官网：http://www.hw.com.tw

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
SOURCE
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
7 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.9 A
最大漏极电流 (ID)
0.8 A
FET 技术
JUNCTION
最高频带
L BAND
JESD-30 代码
R-PSSO-F3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
2.8 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
FLAT
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches
1
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L-Band GaAs Power FET



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