HYMD232646L8-L,HYMD232646L8-L pdf中文资料,HYMD232646L8-L引脚图,HYMD232646L8-L电路-Datasheet-电子工程世界

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SK Hynix(海力士)

零件包装代码

DIMM

包装说明

DIMM, DIMM184

针数

184

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

访问模式

SINGLE BANK PAGE BURST

最长访问时间

0.8 ns

其他特性

AUTO/SELF REFRESH

最大时钟频率 (fCLK)

100 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XDMA-N184

内存密度

2147483648 bi

内存集成电路类型

DDR DRAM MODULE

内存宽度

功能数量

端口数量

端子数量

184

字数

33554432 words

字数代码

32000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

32MX64

输出特性

3-STATE

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装代码

DIMM

封装等效代码

DIMM184

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

电源

2.5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

8192

自我刷新

YES

最大待机电流

0.12 A

最大压摆率

2.24 mA

最大供电电压 (Vsup)

2.7 V

最小供电电压 (Vsup)

2.3 V

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

NO LEAD

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

参数对比

与HYMD232646L8-L相近的元器件有：HYMD2326468-H、HYMD2326468-L、HYMD232646L8-H、HYMD232646L8-K。描述及对比如下：

型号	HYMD232646L8-L	HYMD2326468-H	HYMD2326468-L	HYMD232646L8-H	HYMD232646L8-K
描述	Unbuffered DDR SDRAM DIMM	Unbuffered DDR SDRAM DIMM	Unbuffered DDR SDRAM DIMM	Unbuffered DDR SDRAM DIMM	Unbuffered DDR SDRAM DIMM
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compli	unknow	unknow	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	100 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.12 A	0.16 A	0.12 A	0.16 A	0.16 A
最大压摆率	2.24 mA	2.44 mA	2.24 mA	2.44 mA	2.44 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL