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IDT39C60-1D

Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48

器件类别:逻辑    逻辑   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
48
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL
系列
CMOS
JESD-30 代码
R-GDIP-T48
JESD-609代码
e0
逻辑集成电路类型
ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT
位数
16
功能数量
1
端子数量
48
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.25 V
最小供电电压 (Vsup)
4.75 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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参数对比
与IDT39C60-1D相近的元器件有:IDT39C60AD、IDT39C60BD、IDT39C60D。描述及对比如下:
型号 IDT39C60-1D IDT39C60AD IDT39C60BD IDT39C60D
描述 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48 Error Detection And Correction Circuit, CMOS Series, 16-Bit, CMOS, CDIP48, CERDIP-48
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, CERDIP-48 DIP, DIP,
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
其他特性 BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL BUILT IN DIAGNOSTICS; BYTE CONTROL
系列 CMOS CMOS CMOS CMOS
JESD-30 代码 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48 R-GDIP-T48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
逻辑集成电路类型 ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT ERROR DETECTION AND CORRECTION CIRCUIT
位数 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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