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IDT70V24S55F

Multi-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, CQFP84, QFP-84

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
QFP
包装说明
QFF,
针数
84
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
55 ns
其他特性
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码
S-CQFP-F84
JESD-609代码
e0
长度
29.21 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
84
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4KX16
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QFF
封装形状
SQUARE
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
29.21 mm
参数对比
与IDT70V24S55F相近的元器件有:IDT70V24L55F、IDT70V24L35F、IDT70V24S35F、IDT70V24L25F、IDT70V24S25F。描述及对比如下:
型号 IDT70V24S55F IDT70V24L55F IDT70V24L35F IDT70V24S35F IDT70V24L25F IDT70V24S25F
描述 Multi-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, CQFP84, QFP-84 Multi-Port SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, CQFP84, QFP-84 Multi-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, CQFP84, QFP-84 Multi-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, CQFP84, QFP-84 Multi-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CQFP84, QFP-84 Multi-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CQFP84, QFP-84
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 QFF, QFF, QFF, QFF, QFF, QFF,
针数 84 84 84 84 84 84
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 55 ns 55 ns 35 ns 35 ns 25 ns 25 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码 S-CQFP-F84 S-CQFP-F84 S-CQFP-F84 S-CQFP-F84 S-CQFP-F84 S-CQFP-F84
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bi 65536 bi
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 84 84 84 84 84 84
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16 4KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFF QFF QFF QFF QFF QFF
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm 3.556 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30
宽度 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm 29.21 mm
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