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IMS1400N-45M

Standard SRAM, 16KX1, 40ns, MOS, CQCC20,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Inmos Corporation

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Inmos Corporation
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
40 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-XQCC-N20
JESD-609代码
e0
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
16KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC20,.3X.43
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大压摆率
0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
MOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
参数对比
与IMS1400N-45M相近的元器件有:IMS1400S-55M、IMS1400S-70M、IMS1400N-55M、IMS1400N-70M。描述及对比如下:
型号 IMS1400N-45M IMS1400S-55M IMS1400S-70M IMS1400N-55M IMS1400N-70M
描述 Standard SRAM, 16KX1, 40ns, MOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 50ns, MOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CDIP20, Standard SRAM, 16KX1, 50ns, MOS, CQCC20, Standard SRAM, 16KX1, 65ns, MOS, CQCC20,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 40 ns 50 ns 65 ns 50 ns 65 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XQCC-N20 R-XDIP-T20 R-XDIP-T20 R-XQCC-N20 R-XQCC-N20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCN DIP DIP QCCN QCCN
封装等效代码 LCC20,.3X.43 DIP20,.3 DIP20,.3 LCC20,.3X.43 LCC20,.3X.43
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES YES
技术 MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL QUAD QUAD
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