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IPD90N06S4L05ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件:IPD90N06S4L05ATMA1

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
其他特性
ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)
135 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
90 A
最大漏源导通电阻
0.0046 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-252
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
360 A
参考标准
AEC-Q101
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IPD90N06S4L05ATMA1相近的元器件有:IPD90N06S4L-05、IPD90N06S4L05ATMA2。描述及对比如下:
型号 IPD90N06S4L05ATMA1 IPD90N06S4L-05 IPD90N06S4L05ATMA2
描述 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 -
Reach Compliance Code compliant not_compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Factory Lead Time 1 week 1 week -
雪崩能效等级(Eas) 135 mJ 135 mJ -
外壳连接 DRAIN DRAIN -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 60 V 60 V -
最大漏极电流 (ID) 90 A 90 A -
最大漏源导通电阻 0.0046 Ω 0.0046 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 2 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 360 A 360 A -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
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