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IPI100N08N3G

70 A, 80 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
70 A, 80 V, 0.01 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
TO-262AA
包装说明
IN-LINE, R-PSIP-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
90 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
70 A
最大漏极电流 (ID)
70 A
最大漏源导通电阻
0.01 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
280 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
40
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IPI100N08N3G相近的元器件有:IPB097N08N3G、IPP100N08N3G。描述及对比如下:
型号 IPI100N08N3G IPB097N08N3G IPP100N08N3G
描述 70 A, 80 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 70 A, 80 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 70 A, 80 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-262AA D2PAK TO-220AB
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数 3 4 3
Reach Compliance Code compli compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 90 mJ 90 mJ 90 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 70 A 70 A 70 A
最大漏极电流 (ID) 70 A 70 A 70 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω 0.0097 Ω 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 280 A 280 A 280 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) -
是否无铅 - 不含铅 不含铅
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