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IPP12CN10NG

67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Infineon(英飞凌)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)
154 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
67 A
最大漏极电流 (ID)
67 A
最大漏源导通电阻
0.0129 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
268 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
参数对比
与IPP12CN10NG相近的元器件有:IPB12CN10NG、IPB12CN10NG_10、IPD12CN10NG、IPI12CN10NG。描述及对比如下:
型号 IPP12CN10NG IPB12CN10NG IPB12CN10NG_10 IPD12CN10NG IPI12CN10NG
描述 67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 67 A, 100 V, 0.0124 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 3
表面贴装 NO YES Yes YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-220AB D2PAK - TO-252AA TO-262AA
包装说明 GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 4 - 4 3
Reach Compliance Code compli compli - compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 FAST SWITCHING FAST SWITCHING - FAST SWITCHING FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas) 154 mJ 154 mJ - 154 mJ 154 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V - 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 67 A 67 A - 67 A 67 A
最大漏极电流 (ID) 67 A 67 A - 67 A 67 A
最大漏源导通电阻 0.0129 Ω 0.0126 Ω - 0.0124 Ω 0.0129 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB - TO-252AA TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3 - e3 e3
湿度敏感等级 1 1 - 3 1
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED - 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W - 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 268 A 268 A - 268 A 268 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn) - MATTE TIN MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 40 40
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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