型号

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关键词

IRC830-013PBF

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 5 PIN

器件类别：晶体管

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

器件标准： Rohs认证无铅标识

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

International Rectifier （ Infineon ）

零件包装代码

TO-220

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5

针数

Reach Compliance Code

compliant

Is Samacsys

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN CURRENT AND KELVIN SENSOR

最小漏源击穿电压

500 V

最大漏极电流 (ID)

4.5 A

最大漏源导通电阻

1.5 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PSFM-T5

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

250

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

74 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

文档预览

热门器件

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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