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IRF2807LPbF

75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
75 A, 75 V, 0.013 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-262AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码
TO-262AA
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)
340 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
82 A
最大漏极电流 (ID)
75 A
最大漏源导通电阻
0.013 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-262AA
JESD-30 代码
R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
150 W
最大功率耗散 (Abs)
230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
280 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与IRF2807LPbF相近的元器件有:IRF2807L、IRF2807SPBF。描述及对比如下:
型号 IRF2807LPbF IRF2807L IRF2807SPBF
描述 75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 75 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 340 mJ 340 mJ 340 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V 75 V 75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 82 A 71 A 82 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 225 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 150 W 150 W 150 W
最大功率耗散 (Abs) 230 W 150 W 230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 280 A 280 A 280 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 TO-262AA TO-262AA -
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-262AA -
湿度敏感等级 1 - 1
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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