型号

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关键词

IRF3205-003PBF

Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

器件标准： Rohs认证无铅标识

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

International Rectifier （ Infineon ）

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

55 V

最大漏极电流 (ID)

98 A

最大漏源导通电阻

0.008 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

250

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

150 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

MATTE TIN OVER NICKEL

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

晶体管元件材料

SILICON

热门器件

单稳态控制电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析开关电源的基本组成及工作原理 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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